第二届——IEEE Caixin Sun and Stan Grzybowski Achievement Award （IEEE孙才新和格日博夫斯基学术成就奖）申报开始了
欢迎全球范围内在高电压和电介质材料领域做出杰出贡献的学者申请或推荐。申请截止日期为2020年3月1日。
IEEE Caixin Sun & Stan Grzybowski Awards是为纪念重庆大学孙才新院士和美国密西西比州立大学Stanislaw Grzybowski教授在创办IEEE ICHVE国际学术会议及高电压技术领域研究和人才培养及国际国内学术进步与交流方面的卓越贡献，于2017年设立。
该奖项为全球高电压领域首个以中国学者名字命名的国际性学术奖励。奖项每两年评选一次，旨在奖励全球范围内在高电压工程技术及其发展领域做出突出贡献的学者和优秀研究生。奖项由重庆大学孙才新院士教育基金会提供支持，IEEE DEIS学会负责在全球范围内对杰出候选人提名和评选。
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